Конденсатори снуббери ГТО дар тачхизоти электронии пуриктидор

Конденсатори snubber GTO дар таҷҳизоти электронии пурқувват Тасвир пешниҳодшуда

Тавсифи кӯтоҳ:

Снубберҳо барои диодҳое, ки дар схемаҳои коммутатсионӣ истифода мешаванд, муҳиманд.Он метавонад диодро аз шиддати аз ҳад зиёд, ки дар ҷараёни барқарорсозии баръакс пайдо мешаванд, наҷот диҳад.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед Ҳамчун PDF зеркашӣ кунед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Маълумоти техникӣ

Диапазони ҳарорати корӣ	Ҳарорати максималии корӣ., боло, макс: + 85 ℃ Ҳарорати категорияи боло: + 85 ℃ Ҳарорати категорияи поён: -40 ℃
диапазони иқтидор	0,22～3μF
Шиддати номиналӣ	3000V.DC ~ 10000V.C
Кап.тол	±5%(J) ;±10%(К)
Муқовимат ба шиддат	1,35Ун DC/10S
Омили паҳншавӣ	tgδ≤0,001 f=1КГц
Муқовимат ба изолятсия	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (дар 20℃ 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C≥5000S (дар 20℃ 100V.DC 60S)
Ба ҷараёни зарба тобовар аст	варақаи маълумотро бинед
Давомнокии умр	100000 соат (Ун; Нуқтаи ≤70°C)
Стандарти истинод	IEC 61071;

Хусусият

1. Лентаи Mylar, мӯҳр бо қатрон;

2. Баргҳои мисӣ;

3. Муқовимат ба шиддати баланд, пасти tgδ, баландшавии ҳарорати паст;

4. пасти ESL ва ESR;

5. Ҷараёни набзи баланд.

Ариза

1. Снуббери ГТО.

2. Ба таври васеъ дар таҷҳизоти барқии электронӣ истифода бурда мешавад, вақте ки шиддати қуллаи, қуллаи ҳифзи ҷабби ҷорӣ ҷорӣ.

Схемаи маъмулӣ

Тарҳрезии контур

Мушаххасот

Un=3000V.DC
Иқтидори (μF)	φD (мм)	Л(мм)	L1(мм)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Ирмс (А)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Иқтидори (μF)	φD (мм)	Л(мм)	L1(мм)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Ирмс (А)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Иқтидори (μF)	φD (мм)	Л(мм)	L1(мм)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Ирмс (А)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Иқтидори (μF)	φD (мм)	Л(мм)	L1(мм)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Ирмс (А)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Иқтидори (μF)	φD (мм)	Л(мм)	L1(мм)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Ирмс (А)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70