Конденсатори пурқувват барои электроникаи барқ

Тавсифи кӯтоҳ:

Силсилаи конденсаторҳои қудрати баланд DKMJ-S

1. Диапазони ҳарорати корӣ: +70 то -45 ℃

2. Диапазони зарфият: 100uf - 20000uf

3. Шиддати номиналии: 600VDC-4000VDC

4. Баландии ҳадди аксар: 2000м

5. Давомнокии умр: 100000 соат

6. Маълумотнома: стандарт: IEC61071, IEC61881

Ба мо почтаи электронӣ фиристед Ҳамчун PDF зеркашӣ кунед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Мушаххасоти DKMJ-S

CRE дар тӯли 10 сол пешвои ҷаҳонӣ дар тарҳрезии технологияи конденсаторҳои баландсифат мебошад.Мо конденсаторҳои хушк аз 100VDC то 4kVDC истеҳсол мекунем.Хусусияти асосии CRE High Power технологияи худидоракунии идорашаванда мебошад.Ин ба конденсаторҳо имкон медиҳад, ки бидуни нокомии фалокатбор тавассути изолятсияи самараноки ҳама гуна маконҳои микроскопӣ дар дохили диэлектрик кор кунанд.

Ҳангоме ки конденсаторҳои плёнкаи барқ дар тӯли тамоми мӯҳлати корашон фаъол боқӣ мемонанд, арзиши ибтидоии иқтидор бо суръати вобаста ба шиддати татбиқшаванда ва ҳарорати нуқтаи гарм коҳиш меёбад.Тарҳҳои стандартии мо <(2-5)% талафоти иқтидори зиёда аз 100,000 соатро дар шиддати номиналӣ ва ҳарорати 70ºC гармӣ таъмин мекунанд, дар ҳоле ки тарҳҳои мушаххаси барнома метавонанд тибқи дархост пешниҳод карда шаванд.Силсилаҳои гуногуни конденсаторҳои баландқуввати CRE барои филтркунии DC, муҳофизат, разряди пулс, танзим, филтркунии AC ва барномаҳои нигоҳдорӣ дастрасанд.

Маълумоти техникӣ

Конденсатори филми пурқувват		маълумот
Иқтидори номиналӣ	CN	1880μF±10%
Шиддати номиналӣ	UN	2150V. DC
Шиддати шадиди такрорнашаванда	Us	3225В
Максимум ҷараён	Iмакс	240А
Ҷараёни ҳадди аксар	Î	28.2КА
Ҷараёни максималӣ	Is	84.6КА
Муқовимати силсила	Rs	≤0,35мΩ
Тангенси талафот	танδ	0,002 (100 Гц)
Тангенси кунҷи талафот	танδ0	0,0002
Муддати худидоракунӣ.	C × Ris	10000С（100VDC 60S)
Индуктивии худ	Le	≤29nH
Муқовимати гармӣ	Rth	0,33К/Вт
Ҳарорати пасттарини корӣ	Èдақ	-40°С
Ҳарорати максималии корӣ	Èмакс	85С
Ҳарорати нигоҳдорӣ	Èнигоҳдорӣ	-40~85°С
Муҳлати хидмат	дар Èhospot	100000 соат (≤70°C)
Квота ноком		100 Фит

Маълумоти санҷишӣ
Санҷиши шиддат байни терминалҳо	Втт	3225V.DC/10S
Терминали санҷиши шиддати AC/контейнер	Vt-c	7000V.AC/50Hz 10S

Баландии амалиёт		2000м (максимум)
Моменти максималӣ		25Нм (максимум)
Вазн		≈25 кг

Ҷадвали интихоби DKMJ-S

Шиддат	Un 800V.DC Us 1200V Ur 200V
Cn (μF)	Вт (мм)	Т (мм)	H (мм)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Ирмс (A)50℃@10КГц	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (К/В)	Вазн (Кг)
4000	340	125	190	5	20.0	120	1.1	0,9	17.6
8000	340	125	350	4	32,0	180	0,72	0.6	31.2
6000	420	125	245	5	30.0	150	0,95	0,7	26.4
10000	420	125	360	4	40,0	200	0,72	0,5	39.2
12000	420	235	245	4	48,0	250	0,9	0.3	49.6
20000	420	235	360	3	60,0	300	0.6	0.3	73.6
Шиддат	Un 1200V.DC Us 1800V Ur 300V
Cn (μF)	Вт (мм)	Т (мм)	H (мм)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Ирмс (A)50℃@10КГц	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (К/В)	Вазн (Кг)
2500	340	125	190	8	20.0	120	1.1	0,9	17.6
3300	340	125	245	8	26.4	150	0,95	0,7	22.4
5000	420	125	300	7	35,0	180	0,8	0.6	32.8
7500	420	125	430	5.5	41.3	200	0,66	0.6	44.8
5000	340	235	190	8	40,0	200	1.1	0.3	32.8
10000	340	235	350	6	60,0	250	0,8	0.3	58.4
5000	420	235	175	8	40,0	200	1	0.4	36
7500	420	235	245	7	52.5	250	0,9	0.3	49.6
10000	420	235	300	7	70,0	250	0,8	0.3	61.6
15000	420	235	430	5	75,0	300	0.6	0.3	84
Шиддат	Un 1500V.DC Us 2250V Ur 450V
Cn (μF)	Вт (мм)	Т (мм)	H (мм)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Ирмс (A)50℃@10КГц	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (К/В)	Вазн (Кг)
1200	340	125	190	10	12.0	120	1.1	0,9	17.6
3000	340	125	420	8	24.0	180	0,66	0,7	37.6
2000	420	125	245	10	20.0	150	0,95	0,7	26.4
4000	420	125	430	8	32,0	200	0,66	0.6	44.8
5000	340	235	350	8	40,0	250	0,8	0.3	58.4
4000	420	235	245	10	40,0	250	0,9	0.3	49.6
8000	420	235	430	8	64,0	300	0.6	0.3	84
Шиддат	Un 2000V.DC Us 3000V Ur 600V
Cn (μF)	Вт (мм)	Т (мм)	H (мм)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Ирмс (A)50℃@10КГц	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (К/В)	Вазн (Кг)
1000	340	125	245	12	12.0	150	0,95	0,7	22.4
1500	340	125	350	10	15.0	180	0,72	0.6	31.2
2000	420	125	360	10	20.0	200	0,72	0,5	39.2
2400	420	125	430	9	21.6	200	0,66	0.6	44.8
3200	340	235	350	10	32,0	250	0,8	0.3	46.4
4000	420	235	360	10	40,0	280	0,7	0.3	58.4
4800	420	235	430	9	43.2	300	0.6	0.3	67.2
Шиддат	Un 2200V.DC Us 3300V Ur 600V
Cn (μF)	Вт (мм)	Т (мм)	H (мм)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Ирмс (A)макс	ESR (mΩ)	Rth (К/В)	Вазн (Кг)
2000	420	235	245	12	24	150	0,9	0.740740741	40
2750	420	235	300	10	27.5	200	0,8	0.46875	49.6
3500	420	235	360	10	35	200	0,7	0.535714286	58.4
Шиддат	Un 3000V.DC Us 4500V Ur 800V
Cn (μF)	Вт (мм)	Т (мм)	H (мм)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Ирмс (A)макс	ESR (mΩ)	Rth (К/В)	Вазн (Кг)
1050	420	235	245	20	21	150	0,9	0.740740741	40
1400	420	235	300	15	21	200	0,8	0.46875	49.6
1800	420	235	360	15	27	200	0,7	0.535714286	58.4
Шиддат	Un 4000V.DC Us 6000V Ur 1000V
Cn (μF)	Вт (мм)	Т (мм)	H (мм)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Ирмс (A)макс	ESR (mΩ)	Rth (К/В)	Вазн (Кг)
600	420	235	245	20	12	150	0,9	0.740740741	40
800	420	235	300	20	16	200	0,8	0.46875	49.6
1000	420	235	360	20	20	200	0,7	0.535714286	58.4
Шиддат	Un 2800V.DC Us 4200V Ur 800V
Cn (μF)	Вт (мм)	Т (мм)	H (мм)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Ирмс (A)50℃@10КГц	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (К/В)	Вазн (Кг)
2×1000	560	190	310	20	2×20	2×350	1	0.2	60
Шиддат	Un 3200V.DC Us 4800V Ur 900V
Cn (μF)	Вт (мм)	Т (мм)	H (мм)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Ирмс (A)50℃@10КГц	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (К/В)	Вазн (Кг)
2×1200	340	175	950	15	2×18	2×200	1.0	0,5	95